TheCloud/Digital
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hneemann 2017-10-11 18:01:51 +02:00
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distribution/ReleaseNotes.txt
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@ -8,6 +8,7 @@ HEAD, planned as v0.15
- fixed bugs in some 74xx circuits (74160, 74161, 74162 and 74238)
- fixed a bug in the remote interface "run to break" method.
- fixed an error in VHDL export if comparator is used in "signed mode"
- fixed a Windows specific bug in the speed test GUI
v0.14, released on 31. Aug 2017
- Added visualization of KV maps (thanks to roy77)

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src/main/resources/lang/lang_de.xml
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@ -410,13 +410,13 @@ Die gesammte Speichergröße beträgt damit damit dx*dy*2 Speicherworte.</string
Ist eine Leitung nicht hochohmig, hat das Element keine Wirkung.</string>
<string name="elem_NFET">N-Kanal FET</string>
<string name="elem_NFET_tt">N-Kanal Feldeffekttransistor. Der Bulk ist mit Masse verbunden jedoch wird der Transistor ohne eine Body-Diode simuliert.</string>
<string name="elem_NFET_tt">N-Kanal Feldeffekttransistor. Der Bulk ist mit Masse verbunden. Der Transistor ohne eine Body-Diode simuliert.</string>
<string name="elem_NFET_pin_G">Gate</string>
<string name="elem_NFET_pin_S">Source</string>
<string name="elem_NFET_pin_D">Drain</string>
<string name="elem_PFET">P-Kanal FET</string>
<string name="elem_PFET_tt">P-Kanal Feldeffekttransistor. Der Bulk ist mit der pos. Versorgung verbunden, jedoch wird der Transistor ohne eine Body-Diode simuliert.</string>
<string name="elem_PFET_tt">P-Kanal Feldeffekttransistor. Der Bulk ist mit der pos. Versorgung verbunden. Der Transistor ohne eine Body-Diode simuliert.</string>
<string name="elem_PFET_pin_G">Gate</string>
<string name="elem_PFET_pin_S">Source</string>
<string name="elem_PFET_pin_D">Drain</string>