diff --git a/src/main/resources/lang/lang_de.xml b/src/main/resources/lang/lang_de.xml
index d543a0816..1eb3f54f3 100644
--- a/src/main/resources/lang/lang_de.xml
+++ b/src/main/resources/lang/lang_de.xml
@@ -335,12 +335,12 @@ Die gesammte Speichergröße beträgt damit damit dx*dy*2 Speicherworte.
N-Kanal FET
- N-Kanal Feldeffekttransistor
+ N-Kanal Feldeffekttransistor. Der Transistor wird ohne eine Body-Diode simuliert.
Gate
Source
Drain
P-Kanal FET
- P-Kanal Feldeffekttransistor
+ P-Kanal Feldeffekttransistor. Der Transistor wird ohne eine Body-Diode simuliert.
Gate
Source
Drain
diff --git a/src/main/resources/lang/lang_en.xml b/src/main/resources/lang/lang_en.xml
index cc16bc73a..60b837eae 100644
--- a/src/main/resources/lang/lang_en.xml
+++ b/src/main/resources/lang/lang_en.xml
@@ -321,12 +321,12 @@
A "weak low".
N-Channel FET
- N-Channel Field Effect Transitor
+ N-Channel Field Effect Transitor. The transistor is simulated without a body diode.
Gate
Source
Drain
P-Channel FET
- P-Channel Field Effect Transitor
+ P-Channel Field Effect Transitor. The transistor is simulated without a body diode.
Gate
Source
Drain