diff --git a/src/main/resources/lang/lang_de.xml b/src/main/resources/lang/lang_de.xml index d543a0816..1eb3f54f3 100644 --- a/src/main/resources/lang/lang_de.xml +++ b/src/main/resources/lang/lang_de.xml @@ -335,12 +335,12 @@ Die gesammte Speichergröße beträgt damit damit dx*dy*2 Speicherworte. N-Kanal FET - N-Kanal Feldeffekttransistor + N-Kanal Feldeffekttransistor. Der Transistor wird ohne eine Body-Diode simuliert. Gate Source Drain P-Kanal FET - P-Kanal Feldeffekttransistor + P-Kanal Feldeffekttransistor. Der Transistor wird ohne eine Body-Diode simuliert. Gate Source Drain diff --git a/src/main/resources/lang/lang_en.xml b/src/main/resources/lang/lang_en.xml index cc16bc73a..60b837eae 100644 --- a/src/main/resources/lang/lang_en.xml +++ b/src/main/resources/lang/lang_en.xml @@ -321,12 +321,12 @@ A "weak low". N-Channel FET - N-Channel Field Effect Transitor + N-Channel Field Effect Transitor. The transistor is simulated without a body diode. Gate Source Drain P-Channel FET - P-Channel Field Effect Transitor + P-Channel Field Effect Transitor. The transistor is simulated without a body diode. Gate Source Drain